全固态高稳定度纳秒脉冲源的相干合成技术

作     者：梁步阁 张光甫 张伟军 张伟 吴锋涛 李毅 朱畅 袁乃昌 LIANG Bu-ge;ZHANG Guang-fu;ZHANG Wei-jun;ZHANG Wei;WU Feng-tao;LI Yi;ZHU Chang;YUAN Nai-chang

作者机构：国防科学技术大学电子科学与工程学院微波技术发展中心长沙410073 

基　　金：国家863计划项目资助课题 

出 版 物：《强激光与粒子束》 (High Power Laser and Particle Beams)

年 卷 期：2006年第18卷第6期

页      码：1041-1045页

摘      要：单个子源的稳定度指标是多源相干合成技术的关键。文章首先对脉冲源稳定度指标进行了定义，并指出全固态纳秒脉冲源具有较高的稳定度指标，在相干合成中具有潜在优势。对脉冲时基抖动、波形抖动机理进行了深入分析，给出了高稳定度子源设计的关键技术途径，采用过触发、欠容量等具体改善方案，有效提高了子源的时基稳定度和波形稳定度，单个子源脉宽抖动小于等于1％，峰值抖动小于等于1％，单次短时抖动小于等于20ps，长时漂移小于等于100ps／min。最终成功实现了256单元的16×16路电路-空间综合合成，研制出30MW全固态高稳定度多路相干合成纳秒脉冲源，脉冲源16路输出端口最大时基离散度小于30ps，合成峰值电压抖动小于1％，合成峰值电压效率可达到90％～95％。

主 题 词：高功率微波 相干合成 全固态纳秒脉冲源 稳定度 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

馆 藏 号：203126148...