近太赫兹频段线性注真空器件的研究

作     者：冯进军 蔡军 胡银富 李含雁 杜英华 唐烨 李莉莉 潘攀 

作者机构：北京真空电子技术研究所微波电真空器件国家重点实验室北京100015 

基　　金：国家重点基础研究发展计划资助项目(No.2013CB933602) 

出 版 物：《太赫兹科学与电子信息学报》 (Journal of Terahertz Science and Electronic Information Technology)

年 卷 期：2015年第13卷第5期

页      码：684-690,706页

摘      要：介绍了太赫兹频段真空电子器件的研究和开发进展,包括慢波结构理论、设计、模拟及优化,微加工和微组装技术,整管技术等。这些器件包括行波管、返波管、斜注管、止带振荡器及行波管谐波放大器等,高频结构以折叠波导慢波结构为主,在太赫兹返波管中则利用叶片加载波导慢波结构。器件技术包括微机电系统(MEMS)技术,微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)金刚石生长、金属化和封接技术等。最后给出W波段、G波段以及340 GHz部件和器件所达到的性能。

主 题 词：太赫兹 行波管 返波管 微机电系统技术 金刚石 

学科分类：080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.11805/tkyda201505.0684

馆 藏 号：203126978...