一种基于FLATCELL结构的MASKROM芯片设计

作     者：朱立群 牛征 ZHU Li-qun;NIU Zheng

作者机构：无锡华润矽科微电子有限公司江苏无锡214061 

出 版 物：《电子与封装》 (Electronics & Packaging)

年 卷 期：2007年第7卷第4期

页      码：29-32页

摘      要：文章介绍了一种高密度的掩模式只读存储器CMOS集成电路及其工作原理,它所采用的是平坦式离子植入绝缘工艺的存储单元结构,能使电路在有限的面积内获得较高的集成密度。重点讨论存储单元的物理原理和逻辑结构,相应的外围电路模块的电路设计与功能实现。

主 题 词：平坦式离子植入绝缘工艺 存储单元 掩模式只读存储器 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1681-1070.2007.04.008

馆 藏 号：203127037...