低温大注入多晶硅发射极硅双极晶体管电流增益的定量模拟

作     者：肖志雄 魏同立 

作者机构：北京大学微电子学研究所 东南大学微电子中心 

基　　金：国家自然科学基金 

出 版 物：《电子学报》 (Acta Electronica Sinica)

年 卷 期：1998年第26卷第2期

页      码：44-48页

摘      要：已有的理论和实验都已证明，多晶硅发射极硅双极晶体管适合于低温工作。但至今为止，其完整的大注入时电流增益的理论分析还不成熟，特别是进行定量的计算；本文定量地模拟了低温７７Ｋ和常温３００Ｋ下多晶硅发射极硅双极晶体管电流增益与集电极电流密度的关系，并且分析了低温和常温下决定该晶体管电流增益大注入效应的主要物理效应，为低温多晶硅发射极硅双极晶体管的设计提供了有益的理论基础。

主 题 词：多晶硅 发射极硅 双极晶体管 电流增益 

学科分类：080903[080903] 0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.3321/j.issn:0372-2112.1998.02.010

馆 藏 号：203127090...