0.35μm SiGe BiCMOS 10位1 GSPS单片直接数字频率合成器

作     者：傅东兵 刘军 张瑞涛 严纲 俞宙 李儒章 

作者机构：模拟集成电路国家级重点实验室 中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2010年第40卷第2期

页      码：169-172页

摘      要：设计了一个基于SiGe BiCMOS工艺的高速数字频率合成器。该电路在一块芯片上集成了DDS核、分段式电流舵DAC、并/串接口、时钟控制逻辑等模块。芯片采用标准0.35μm SiGeBiCMOS工艺流片。测试结果表明,DDS能够生成高速、高质量的正弦/余弦捷变波形。

主 题 词：直接数字频率合成器 CORDIC DAC SiGe BiCMOS 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

馆 藏 号：203127151...