应变Si_(1-x)Ge_x(001)空穴有效质量各向异性

作     者：周春宇 刘超 宋建军 ZHOU Chunyu;LIU Chao;SONG Jianjun

作者机构：辽宁工程技术大学电子与信息工程学院辽宁葫芦岛125105 西安电子科技大学微电子学院西安710071 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2010年第30卷第3期

页      码：366-369页

摘      要：利用应变Si1-xGex技术提高空穴迁移率是当前国内外关注的研究领域和研究发展重点。基于KP理论框架,研究获得了应变Si1-xGex/(001)Si材料沿不同晶向及各向同性空穴有效质量。结果表明,应变Si1-xGex/(001)Si带边[1-11]、[001]、[1-10]、[-110]和[100]晶向空穴有效质量在压应力的作用下变化明显,其各向异性更加显著。此外,当Ge组份较大时,带边和亚带边空穴各向同性有效质量接近,传统的"重空穴"和"轻空穴"概念失去意义。价带空穴有效质量与迁移率密切相关,该研究成果为Si基应变pMOS器件性能增强的研究及导电沟道的应力与晶向设计提供了重要理论依据。

主 题 词：应变Si1-xGex 价带 空穴有效质量 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 07[理学] 070205[070205] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-3819.2010.03.012

馆 藏 号：203127170...