六角形超结VDMOS器件的终端结构设计

作     者：孙华芳 荆吉利 孙伟锋 SUN Huafang;JING Jili;SUN Weifeng

作者机构：东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心南京210096 

出 版 物：《电子器件》 (Chinese Journal of Electron Devices)

年 卷 期：2010年第33卷第4期

页      码：403-406页

摘      要：为六角形超结VDMOS器件提出了一种结终端结构,该终端结构采用与有源区相似的六角形晶格结构,但P柱和N柱的宽度均为有源区原胞晶格的一半。重点讨论了P柱的数量对表面电场的分布及击穿电压等的影响,模拟结果证实该终端结构的击穿电压大于600V,击穿点发生在终端与有源区之间的过渡区。

主 题 词：功率器件 终端技术 六角形晶格 超结 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1005-9490.2010.04.002

馆 藏 号：203127175...