基于poly-Si键合层的SACM型Ge/Si APD的优化设计研究

作     者：张娟 苏小萍 李嘉辉 王战仁 柯少颖 Zhang Juan;Su Xiaoping;Li Jiahui;Wang Zhanren;Ke Shaoying

作者机构：闽南师范大学物理与信息工程学院光场调控及其系统集成应用福建省高校重点实验室福建漳州363000 

基　　金：国家自然科学基金(62004087) 

出 版 物：《中国激光》 (Chinese Journal of Lasers)

年 卷 期：2024年第51卷第8期

页      码：46-59页

摘      要：Ge/Si雪崩光电二极管(APD)被广泛应用于近红外探测领域,但由于Ge和Si之间存在4.2%的晶格失配,故难以获得高性能的Ge/Si APD。提出在Ge/Si键合界面处引入多晶硅(poly-Si)键合中间层,弱化Ge/Si失配晶格对APD器件性能的影响。poly-Si引入后键合界面电场发生变化,导致APD内部的电场重新分布,极大地影响了器件性能。因此,重点对Ge吸收层和Si倍增层的掺杂浓度进行调控,探究了掺杂浓度对Ge/Si APD电场、复合率、载流子浓度、碰撞电离等性能的影响,最终设计出高性能键合Ge/Si APD。本工作将为低噪声、高增益Ge/Si APD的研究提供理论指导。

主 题 词：材料 Ge/Si雪崩光电二极管 晶格失配 poly-Si键合层 掺杂浓度 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3788/CJL231048

馆 藏 号：203127188...