抗辐照SOI 256kB只读存储器的ESD设计

作     者：罗静 颜燕 罗晟 洪根深 胡永强 

作者机构：中国电子科技集团公司第58研究所江苏无锡214035 

出 版 物：《电子与封装》 (Electronics & Packaging)

年 卷 期：2011年第11卷第9期

页      码：27-31页

摘      要：ESD设计技术已成为业界提升SOI电路可靠性的一个瓶颈技术。文章介绍了一款具有抗辐照能力、基于SOI/CMOS工艺技术研制的容量为256kB只读存储器电路的ESD设计方案。结合电路特点详细分析了其ESD设计的难点,阐述了从工艺、器件和电路三个方面如何密切配合,进行SOI电路ESD设计的分析思路和解决方法。电路基于0.8μm单多晶三层铝部分耗尽SOI/CMOS工艺技术研制成功,采用文中提出的SOI电路的ESD设计思路、方法以及网络,ESD试验结果显示该电路的人体模型ESD等级已经超过了4kV的水平。

主 题 词：静电放电 SOI 栅控二极管 只读存储器 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1681-1070.2011.09.008

馆 藏 号：203127212...