252kV真空灭弧室纵磁触头磁场分析及优化

作     者：刘志远 郑跃胜 王仲奕 王季梅 荣命哲 LIU Zhi-yuan;ZHENG Yue-sheng;WANG Zhong-yi;WANG Ji-mei;RONG Ming-zhe

作者机构：电力设备电气绝缘国家重点实验室(西安交通大学)陕西省西安市710049 

基　　金：国家自然科学基金项目(50537050) 

出 版 物：《中国电机工程学报》 (Proceedings of the CSEE)

年 卷 期：2008年第28卷第15期

页      码：123-129页

摘      要：真空灭弧室的触头对真空断路器短路电流开断能力和额定电流导通能力有重要的影响。该文采用三维有限元方法对用于252kV真空灭弧室的单匝线圈纵磁触头的磁场特性进行了单因素分析和正交回归分析,包括电流峰值时纵向磁感应强度、电流过零时纵向磁感应强度和导体电阻值,得到了磁场特性和触头设计参数之间的回归方程,并且找出了影响磁场特性的显著因素。理想的纵向磁场特性应当是电流峰值时纵向磁感应强度强,电流过零时纵向磁感应强度弱,以及导体电阻值小。将基于实验设计的优化、有限元分析和统计分析结合在一起,可以达到这种理想的纵向磁场特性。采用这种方法,得到了一种252kV纵向磁场触头的优化设计参数。

主 题 词：高压真空灭弧室 纵向磁场 优化 

学科分类：080801[080801] 0808[工学-自动化类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.3321/j.issn:0258-8013.2008.15.021

馆 藏 号：203127282...