等离子体增强化学气相沉积工艺制备SiON膜及对硅的钝化

作     者：何素明 戴珊珊 罗向东 张波 王金斌 He Su-Ming;Dai Shan-Shan;Luo Xiang-Dong;Zhang Bo;Wang Jin-Bin

作者机构：湘潭大学材料与光电物理学院低维材料与应用技术教育部重点实验室湘潭411105 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083 南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室南通226019 

基　　金：国家重点基础研究发展计划(批准号:2011CB925604,2011CB922004) 中国博士后科学基金(批准号:20110490075)资助的课题 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2014年第63卷第12期

页      码：366-372页

摘      要：研究了等离子体增强化学气相沉积工艺条件对氮氧化硅膜的生长厚度及折射率的影响以及氮氧化硅/氮化硅叠层膜对p型硅片的钝化效果.实验结果表明,NH3的流量和N2O/SiH4流量比对氮氧化硅膜的影响较大,薄膜折射率能从1.48变化到2.1,厚度从30—60 nm不等.腔内压力和射频功率主要影响膜厚,压力越大,功率越大,沉积速率加快,生成的膜越厚.温度对膜厚和折射率的影响可以忽略.钝化效果显示,在有无NH3下,N2O/SiH4流量比分别为20和30时,退火后氮氧化硅/氮化硅叠层膜对p型硅的钝化效果最好,其潜在电压和少子寿命分别为652 mV,56.7μs和649 mV,50.8μs,均优于参照组氮化硅膜样品的钝化效果.

主 题 词：氮氧化硅 等离子体增强化学气相沉积 背面钝化 晶硅太阳能电池 

学科分类：08[工学] 080502[080502] 0805[工学-能源动力学] 

核心收录：

D　O　I：10.7498/aps.63.128102

馆 藏 号：203127345...