高速单片数字相关器VLSI结构研究

作     者：文治平 吴一平 毕波 

作者机构：北京微电子技术研究所北京100076 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2001年第26卷第4期

页      码：42-45页

摘      要：提出了一种高速单片数字相关器ＶＬＳＩ结构设计方法，结合扩频解扩芯片的实际需要，设计了包含１６路数字相关器、集成规模达２０万门的试验芯片，采用０．５μｍ三层金属ＣＭＯＳ工艺制造。测试表明，在３．３Ｖ工作电压和６０ＭＨｚ工作频率下，芯片的各项性能均达到设计要求。

主 题 词：集成电路 结构 CMOS工艺 VLSI 数字相关器 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1003-353X.2001.04.013

馆 藏 号：203127348...