一种碳化硅与硅器件混合型三电平有源中点钳位零电压转换软开关变流器

作     者：李锦 党恩帅 范雨顺 董航飞 刘进军 Li Jin;Dang Enshuai;Fan Yushun;Dong Hangfei;Liu Jinjun

作者机构：上海电力大学电气工程学院上海200090 江苏中天科技股份有限公司南通226463 西安交通大学电气工程学院西安710049 

出 版 物：《电工技术学报》 (Transactions of China Electrotechnical Society)

年 卷 期：2024年第39卷第8期

页      码：2496-2510页

摘      要：该文提出一种碳化硅与硅(SiC&Si)器件混合型三电平有源中点钳位零电压转换(3L-ANPC ZVT)变流器拓扑。该拓扑中每相主电路采用两个SiC MOSFET器件工作在高频,其余主电路开关为Si器件工作在低频,通过辅助电路使得SiC器件工作在ZVT软开关条件下,进一步降低SiC MOSFET高频开关损耗和开关应力。拓扑中辅助电路开关采用Si器件且仅在主器件换相过程工作,具有额定电流小且无开关损耗的特点。该文首先介绍该软开关变流器的电路拓扑结构和工作原理,并给出辅助电路参数的优化设计过程。然后基于双脉冲测试数据对变流器进行损耗建模,分析对比不同开关频率下硬开关和软开关有源中点钳位三电平变流器的损耗分布和效率变化,揭示所提出的软开关变流器拓扑在高开关频率下可以有效改善变流器的效率。最后通过搭建的单相变流器实验平台验证上述分析结论的正确性。

主 题 词：损耗建模 逆变器 软开关 零电压转换 多电平变流器 

学科分类：080801[080801] 0808[工学-自动化类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.230172

馆 藏 号：203127489...