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基于改进开关可调电容的宽调谐太赫兹频率源设计

基于改进开关可调电容的宽调谐太赫兹频率源设计

作     者:徐雷钧 芦哲涵 白雪 陈建锋 XU Leijun;LU Zhehan;BAI Xue;CHEN Jianfeng

作者机构:江苏大学电气信息工程学院江苏镇江212013 

出 版 物:《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期:2024年第44卷第2期

页      码:119-124页

摘      要:针对太赫兹频率源调谐范围窄的问题,基于普通PMOS可变电容设计了一种改进的开关可调电容,实现了电容变化的单调性,并基于该电容结合衬底调谐方式设计了一种宽调谐范围、高输出功率的压控振荡器(Voltage-controlled oscillator, VCO)。将设计的VCO结合二倍频器实现了一种工作在太赫兹频段的,具有较宽调谐范围及较高输出功率的太赫兹频率源。使用40 nm CMOS工艺设计的太赫兹频率源输出频率为146.3~168.5 GHz,调谐范围14.1%,并同时具有最高1.3 dBm的输出功率,其在10 MHz频偏处的相位噪声最优为-105.52 dBc/Hz。

主 题 词:太赫兹 压控振荡器 倍频器 开关电容 衬底调谐 

学科分类:080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D O I:10.12450/j.gtdzx.2024.02.004

馆 藏 号:203127496...

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