用于EUV图案化的新型氧化锌簇交联策略的辐射化学

作     者：司友明 周丹红 赵俊 彭译锋 陈鹏忠 樊江莉 彭孝军 Youming Si;Danhong Zhou;Jun Zhao;Yifeng Peng;Pengzhong Chen;Jiangli Fan;Xiaojun Peng

作者机构：State Key Laboratory of Fine ChemicalsFrontiers Science Centre for Smart Materials Oriented Chemical EngineeringSchool of Chemical EngineeringDalian University of TechnologyDalian116024China Shanghai Synchrotron Radiation FacilityShanghai Institute of Applied PhysicsChinese Academy of SciencesShanghai201204China 

基　　金：financially supported by the National Natural Science Foundation of China(21925802 and 22338005) Liaoning Binhai Laboratory(LBLB-2023-03) the Fundamental Research Funds for the Central Universities(DUT22LAB601) 

出 版 物：《Science China Materials》 (中国科学（材料科学）（英文版）)

年 卷 期：2024年第67卷第5期

页      码：1588-1593页

摘      要：由于C=C双键交联反应机制的成熟,金属氧化物光刻胶得到了广泛的发展.然而,由于不稳定的C=C双键,这种材料需要低温和遮光存储.在此,首次在金属氧簇中提出了C-F键交联策略用于光刻图案化.以光刻胶Zn-TBA为例,它形成光滑无缺陷的薄膜,且表面粗糙度Rq小于0.2 nm.使用极紫外(EUV)干涉掩模,在65 mJ cm^(-2)曝光剂量下形成37.5 nm的半周期(HP)图案.在EUV曝光和正己烷显影后,通过原子力显微镜(AFM)观察到负性光刻胶形貌.重要的是,Zn-TBA可以在室温和明亮的环境中储存.除了脱羧之外,我们还提出光引发的C-F交联是Zn-TBA图案的主要贡献者,并通过高分辨率X射线光电子能谱(HRXPS)和密度泛函理论(DFT)计算得以证明.这种新颖的光刻机制为下一代金属基材料的设计提供了新的思路.

主 题 词：zinc-oxo cluster C-F crosslinking extreme ultraviolet lithography radiation chemistry lithography mechanism 

学科分类：081704[081704] 07[理学] 070304[070304] 08[工学] 0817[工学-轻工类] 0805[工学-能源动力学] 0703[理学-化学类] 

核心收录：

D　O　I：10.1007/s40843-023-2827-8

馆 藏 号：203127521...