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铟锡氧(ITO)和氟锡氧(FTO)透明导电薄膜的表征与分析

铟锡氧(ITO)和氟锡氧(FTO)透明导电薄膜的表征与分析

作     者:初学峰 黄林茂 张祺 谢意含 胡小军 CHU Xuefeng;HUANG Linmao;ZHANG Qi;XIE Yihan;HU Xiaojun

作者机构:吉林建筑大学寒地建筑综合节能教育部重点实验室长春130118 吉林建筑大学电气与计算机学院长春130118 

基  金:吉林省科技发展计划(20220201068GX) 

出 版 物:《人工晶体学报》 (Journal of Synthetic Crystals)

年 卷 期:2024年第53卷第5期

页      码:848-854页

摘      要:本文以射频(RF)磁控溅射方法制备的ITO薄膜和购置的ITO及FTO薄膜为研究对象,通过紫外可见分光光度计表征薄膜样品的透射率,结果表明ITO和FTO薄膜均展现出良好的光学透过率。采用扫描电子显微镜(SEM)观察薄膜样品的表面形貌,所有薄膜样品的表面较为均匀。通过X射线光电子能谱仪(XPS)表征薄膜样品表面的元素、组成、价态和电子态信息,结果表明制备方式与退火处理等因素影响了薄膜样品表面的元素组成与价态,这些信息与薄膜的电学和光学性能具有一定的关联。上述研究结果可以为新型透明导电薄膜的设计和性能提升提供参考。

主 题 词:透明导电氧化物 磁控溅射 退火 表面形貌 X射线光电子能谱 透过率 

学科分类:080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D O I:10.3969/j.issn.1000-985X.2024.05.013

馆 藏 号:203127778...

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