200 V全碳化硅集成技术

作     者：顾勇 马杰 刘奥 黄润华 刘斯扬 柏松 张龙 孙伟锋 GU Yong;MA Jie;LIU Ao;HUANG Run-hua;LIU Si-yang;BAI Song;ZHANG Long;SUN Wei-feng

作者机构：东南大学集成电路学院江苏南京210096 南京电子器件研究所江苏南京210016 

基　　金：国家自然科学基金(No.62274032,No.62174029) 江苏省科技成果转化专项资金项目(No.BA2022005)~~ 

出 版 物：《电子学报》 (Acta Electronica Sinica)

年 卷 期：2024年第52卷第7期

页      码：2183-2189页

摘      要：本文提出了一种基于N衬底P外延晶圆的全碳化硅(Silicon Carbide,SiC)集成工艺平台,该工艺平台兼容低压互补金属氧化物半导体场效应晶体管(Complementary Metal Oxide Semiconductor field-effect transistor,CMOS)、横向扩散金属氧化物半导体(Laterally-Diffused MOS,LDMOS)以及高压二极管等器件.采用P型缓冲层技术调节器件垂直方向电场分布,使高压器件垂直方向耐受电压提高212.4%;在1μm厚度的P型缓冲层和1μm厚度的P型外延层上,实现LDMOS、高压二级管和高侧区域耐受电压大于300 V.基于该工艺平台,搭建了SiC CMOS反相器和反相器链电路,均实现了0~20 V轨至轨的电压输出;设计了半桥驱动电路,低压侧驱动电路由四阶反相器构成;高压侧驱动电路由电平移位电路和高侧区域反相器链电路组成,实现了180~200 V浮空栅极驱动信号输出.

主 题 词：碳化硅(SiC) 集成 碳化硅集成电路 碳化硅反相器 碳化硅横向扩散金属氧化物半导体 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.12263/DZXB.20230782

馆 藏 号：203127790...