一种温度自适应硅光电倍增管偏压设计及验证

作     者：刘涛 肖明 胡锐 LIU Tao;XIAO Ming;HU Rui

作者机构：中广核久源(成都)科技有限公司成都610041 成都理工大学成都610000 

出 版 物：《核电子学与探测技术》 (Nuclear Electronics & Detection Technology)

年 卷 期：2024年第44卷第3期

页      码：479-485页

摘      要：本文根据SiPM击穿电压(V_(br))随温度变化的关系,结合PTC热敏电阻和低压差线性稳压器(LDO)的输入输出特性,设计了一种温度自适应硅光电倍增管偏压电路。并在-20~30℃的温度范围内分为实验组和对照组进行了电压稳定性、纹波测试、温度相关性测试和计数率测试,其中实验组为温度自适应偏压输出,对照组为固定偏压输出。测试结果表明,在设定温度范围内,实验组的过载电压变化较小,比对照组过载电压变化小1.01V,变化率由25.5%变为1.9%,计数率变化从对照组的30%变为1.6%,实验组的计数率变化呈低温度相关性,计数率在100~106次/s之间变化,而对照组计数率明显随温度上升而降低。表明使用本偏压电路时SiPM具有较好的温度稳定性。

主 题 词：SiPM 温度自适应 偏压 

学科分类：082704[082704] 08[工学] 0827[工学-食品科学与工程类] 

D　O　I：10.3969/j.issn.0258-0934.2024.03.012

馆 藏 号：203127857...