基于电流模结构的超宽带无源混频器设计

作     者：李潇然 王乾 雷蕾 刘自成 韩放 齐全文 王兴华 LI Xiaoran;WANG Qian;LEI Lei;LIU Zicheng;HAN Fang;QI Quanwen;WANG Xinghua

作者机构：北京理工大学集成电路与电子学院北京100081 北京理工大学前沿技术研究院山东济南250300 北京理工大学重庆微电子研究院重庆401332 北京理工大学长三角研究院(嘉兴)浙江嘉兴314000 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(62101038) 北京理工大学青年教师学术启动计划(XSQD-202105006) 

出 版 物：《北京理工大学学报》 (Transactions of Beijing Institute of Technology)

年 卷 期：2024年第44卷第6期

页      码：655-660页

摘      要：采用SMIC 55 nm CMOS工艺,提出基于电流模结构的2~8 GHz超宽带高线性度直接下变频无源混频器结构.本设计主要结构为低噪声跨导放大器(low noise transconductance amplifier,LNTA)驱动I/Q两路电流模无源混频器,负载为低输入阻抗的跨阻放大器(trans-impedance amplifier,TIA),即LNTA-Passive Mixer-TIA结构.LNTA采用电容交叉耦合以及双端正反馈结构,解决阻抗匹配以及噪声等关键参数的折中问题.整个接收机链路获得较好的线性度及噪声性能,对于电源电压以及衬底噪声的鲁棒性也有所提升.后仿结果表明,在电源电压1.2 V情况下,射频输入信号频率为2~8 GHz,1 dB压缩点为−5.5 dBm,带内输入三阶交调点为−1 dBm,整体噪声系数为4 dB,核心版图面积为0.12 mm^(2).

主 题 词：超宽带 低噪声跨导放大器 直接下变频无源混频器 跨阻放大器 CMOS工艺 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.15918/j.tbit1001-0645.2023.212

馆 藏 号：203127876...