运用器件模拟软件验证一种GGNMOS ESD保护电路的设计方案

作     者：田宝勇 付强 TIAN Bao-yong;FU Qiang

作者机构：辽宁大学计算中心辽宁沈阳110036 辽宁大学物理学院辽宁沈阳110036 

出 版 物：《辽宁大学学报（自然科学版）》 (Journal of Liaoning University：Natural Sciences Edition)

年 卷 期：2009年第36卷第1期

页      码：18-20页

摘      要：随着CMOS工艺技术发展到深亚微米阶段,器件沟道的有效长度小于0.25μm,器件的高集成度增进了集成电路(IC)的性能及运算速度.但随着器件尺寸的缩减,却出现了一些可靠度的问题,其中ESD(electrostatic discharge)是当今MOS集成电路中最重要的可靠性问题之一.

主 题 词：ESD 保护电路 GGNMOS 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-5846.2009.01.005

馆 藏 号：203127937...