基于自适应偏置的无片外电容LDO设计

作     者：谢雷婧 张家豪 XIE Leijing;ZHANG Jiahao

作者机构：上海大学微电子学院上海200444 上海矩智科技有限公司上海201899 

基　　金：国家重点研发计划资助(2021YFB3200600) 

出 版 物：《电子元件与材料》 (Electronic Components And Materials)

年 卷 期：2024年第43卷第4期

页      码：468-473页

摘      要：提出了一种无片外电容低压差线性稳压器(LDO),该稳压器采用有源频率补偿(AFC)电路和自适应偏置电路在宽负载范围内实现快速瞬态响应。有源频率补偿(AFC)电路采用双环路微分器结构,不仅有效减小了片上补偿电容的面积,而且提高了整体电路的瞬态响应。采用源极跟随器结构实现的自适应偏置电路用于有源频率补偿电路的偏置,进一步改善了LDO的瞬态响应。电路采用SMIC 0.18μm标准CMOS工艺制造,有效芯片面积为0.038 mm^(2)。仿真结果表明,在200 mV压差下,最大输出电流为150 mA,最大负载电容为100 pF。在边沿时间为100 ns的最大负载电流变化时,过冲和下冲电压分别为185 mV和405 mV,电路恢复时间分别为0.45μs和0.2μs。

主 题 词：无片外电容 有源频率补偿 源随器 自适应偏置 快速瞬态响应 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.14106/j.cnki.1001-2028.2024.1557

馆 藏 号：203127959...