通过诱导载流子的V坑传输提升GaN基绿光LED的空穴注入效率

作     者：张东皓 杨东锴 徐畅 刘信佑 包立君 ZHANG Donghao;YANG Dongkai;XU Chang;LIU Hsinyu;BAO Lijun

作者机构：厦门大学电子科学与技术学院电子科学系福建厦门361100 厦门三安光电有限公司福建厦门361100 

基　　金：国家自然科学基金(62071405) 

出 版 物：《发光学报》 (Chinese Journal of Luminescence)

年 卷 期：2024年第45卷第5期

页      码：800-808页

摘      要：为了提升GaN基多量子阱LED的空穴注入效率,设计了具有不同最后势垒层结构的GaN基多量子阱外延结构,并将其制备为绿光mini-LED发光芯片,利用低温电致发光光谱、电流电压特性测试对其载流子传输机制进行了研究。结果表明,在采用AlGaN或GaN/AlN最后势垒层的样品中,有更多载流子可以传输到深层量子阱,空穴注入效率获得提升。本文对这一现象中的载流子运输机制以及V坑缺陷在其中所起的作用进行了研究,发现这种提升主要来自空穴V坑注入比例的增大。实验还发现,过大的V坑注入比例也会造成非辐射复合率上升,从而抑制了AlGaN最后势垒层样品的电光转换效率。

主 题 词：发光二极管 最后势垒层 空穴注入 InGaN/GaN多量子阱 V坑 

学科分类：08[工学] 0803[工学-仪器类] 

核心收录：

D　O　I：10.37188/CJL.20240027

馆 藏 号：203127962...