L波段硅基多层堆叠MEMS耦合器

作     者：汪蔚 李志东 王伟强 周嘉 武亚宵 Wang Wei;Li Zhidong;Wang Weiqiang;Zhou Jia;Wu Yaxiao

作者机构：中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051 

出 版 物：《微纳电子技术》 (Micronanoelectronic Technology)

年 卷 期：2024年第61卷第6期

页      码：125-130页

摘      要：基于射频传输理论设计并制备了一款Si基多层堆叠微电子机械系统(MEMS)耦合器。该耦合器以高阻硅作为衬底材料,采用高精度三维MEMS加工工艺制备而成。利用电磁仿真软件进行了建模仿真,并经过金属图形化、硅基通孔(TSV)、晶圆减薄、晶圆键合等MEMS工艺完成器件制备。采用三层硅片进行堆叠,信号传输时,通过上下两层金属的层间距离对耦合度进行调整,相比常规的平面耦合具有更小的横向尺寸。同时,为了减小信号传输过程中的辐射效应,在信号线周围设计了接地通孔,实现对耦合器的全屏蔽,使其免受外部电磁场的影响。所制备的硅基多层堆叠MEMS耦合器的频带范围为0.75~1.25 GHz,性能指标良好,尺寸仅为5.5 mm×6.0 mm×1 mm,相比常规的平面耦合结构缩小了50%,相比多层印制电路板(PCB)结构缩小了20%。

主 题 词：微电子机械系统(MEMS) 耦合器 全屏蔽 高阻硅 多层 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 081102[081102] 0811[工学-水利类] 

D　O　I：10.13250/j.cnki.wndz.24060408

馆 藏 号：203127980...