N多晶电阻的温度漂移影响因子及工艺研究

作     者：陈培仓 周凌霄 洪成强 王涛 吴建伟 CHEN Peicang;ZHOU Lingxiao;HONG Chengqiang;WANG Tao;WU Jianwei

作者机构：无锡中微晶园电子有限公司江苏无锡214035 

出 版 物：《电子与封装》 (Electronics & Packaging)

年 卷 期：2024年第24卷第5期

页      码：85-88页

摘      要：多晶电阻在集成电路中应用广泛,可用作电路负载、阻尼、分压或分流,但是在实际使用过程中,多晶掺杂电阻的阻值由载流子浓度和迁移率决定,而2者都会受到温度的影响,因此多晶电阻的阻值随温度的变化而变化,且存在一定的温度系数。对N多晶电阻的温度漂移影响因子展开研究并进行分组实验验证,制备出了温度系数在±10×10^(-6)/℃以内的低温度漂移、高精度半导体N多晶电阻,保证了不同温度环境下电路的工作稳定性,为高稳定电路设计提供了参考依据。

主 题 词：多晶电阻 掺杂 温度漂移 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0070

馆 藏 号：203128124...