一种应用于12 bit SAR ADC C-R混和式DAC

作     者：谢海情 陈振华 谷洪波 曹武 XIE Haiqing;CHEN Zhenhua;GU Hongbo;CAO Wu

作者机构：长沙理工大学物理与电子科学学院湖南长沙410114 湖南品腾电子科技有限公司湖南长沙410114 

出 版 物：《电子设计工程》 (Electronic Design Engineering)

年 卷 期：2024年第32卷第12期

页      码：113-117页

摘      要：针对ADC中功耗、精度与成本之间相互制约的问题,提出一种应用于12 bitSARADC的混合电容电阻型(C-R)DAC结构。高6位采用温度计编码的电容阵列结构;低6位选择电阻阵列结构。对电路进行非线性分析选取合理的元件尺寸。另外,采用非交叠时钟电路作为开关控制时序,避免开关切换时引起瞬态毛刺导致电容电荷泄露。基于GSMC 95 nm工艺,完成电路、版图设计与仿真,并完成流片测试,DAC版图总面积为317.2μm×262.5μm,流片测试结果表明,DNL的范围为-0.38~+0.44 LSB,INL的范围为-0.73~+0.4 LSB,满足12位ADC的设计要求。

主 题 词：数模转换器 逐次逼近型 电容电阻结构 温度计编码 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.14022/j.issn1674-6236.2024.12.023

馆 藏 号：203128201...