高速薄膜铌酸锂相位调制器设计及制备

作     者：胡文良 尚成林 潘安 齐志强 王晨晟 HU Wen-liang;SHANG Cheng-lin;PAN An;QI Zhi-qiang;WANG Chen-sheng

作者机构：华中科技大学一武汉光电国家研究中心湖北武汉430073 华中光电技术研究所一武汉光电国家研究中心湖北武汉430223 

出 版 物：《光学与光电技术》 (Optics & Optoelectronic Technology)

年 卷 期：2024年第22卷第3期

页      码：97-102页

摘      要：针对微波光子系统对片上高速调制器件的使用需求,基于铌酸锂材料的线性电光效应,研究通过开展片上器件的光电联合仿真设计,利用与CMOS工艺相兼容的半导体器件制备方法,将低损耗铌酸锂波导、高效耦合模斑转换器、高频微波信号传输线等片上光电器件集成在绝缘体上的铌酸锂(LNOI)晶圆上,实现调制器芯片的片上集成化;采用微光学耦合工艺实现芯片实现光纤阵列的光信号输入输出;采用引线键合方式实现芯片-薄膜电阻-射频接头的阻抗匹配和电信号低损传输;最后采用平行封焊完成芯片-光纤-管壳的气密性封装,以提高调制器的可靠性和环境适应性。测试得到器件光功率插损15 G(@3 dB),动态半波电压<6 V(@10 GHz),满足光电振荡器等相关微波光子器件的应用需求。

主 题 词：薄膜铌酸锂 相位调制器 微波光子 片上集成 光电振荡器 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.19519/j.cnki.1672-3392.2024.03.004

馆 藏 号：203128209...