5G终端抗自干扰射频接收前端设计

作     者：高峻 GAO Jun

作者机构：上海诺基亚贝尔股份有限公司上海201206 

基　　金：上海市浦东科经委产学研专项(PKX2021-D10) 

出 版 物：《电讯技术》 (Telecommunication Engineering)

年 卷 期：2024年第64卷第6期

页      码：865-871页

摘      要：以发射机非线性为主的自干扰普遍恶化5G终端接收机性能。为此,设计了一款抗自干扰射频接收前端。从典型架构和设计要求入手,提出抗自干扰因素分解法,通过实际场景的指标分解,分别讨论隔离度和线性度等因素,利用理论分析及公式推导给出了设计要求与射频接收前端各指标之间的关系,从而提供了在已知设计要求条件下的产品设计准则。经产品投产和实物测试,测试结果与设计要求吻合,验证了该套设计方法的有效性。与国际通用标准相比,该产品的抗自干扰能力提升15 dB以上。

主 题 词：5G终端 抗自干扰射频接收机 退敏 

学科分类：080904[080904] 0810[工学-土木类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080402[080402] 0804[工学-材料学] 081001[081001] 

D　O　I：10.20079/j.issn.1001-893x.230227003

馆 藏 号：203128286...