为什么EliteSiC M3S技术是高速开关应用的更优选择?

作     者：Fatih Cetindag 

作者机构：安森美汽车电源部 

出 版 物：《中国电子商情》 (China Electronic Market)

年 卷 期：2023年第10期

页      码：37-40页

摘      要：碳化硅(SiC)具有比硅(Si)更高的介电击穿场强、能带隙和热导率,电力电子设计人员可以利用这些特性来开发比硅基IGBT器件效率更高、功率密度更大的电源转换器。针对这些应用,为了最大限度地减少高频下的导通和开关损耗,需要使用低RDS(on)和低Qrr(体二极管反向恢复电荷)的器件。

主 题 词：电源转换器 反向恢复电荷 能带隙 电力电子 Elite 高速开关 IGBT器件 开关损耗 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

馆 藏 号：203128374...