基于CDs@SiNWs的光电化学免疫传感器构建及性能研究

作     者：黄粤夷 直士博 李慧珺 HUANG Yueyi;ZHI Shibo;LI Huijun

作者机构：上海理工大学材料与化学学院上海200093 

基　　金：上海市科学技术委员会项目(21ZR1444200 20490761100) 

出 版 物：《有色金属材料与工程》 (Nonferrous Metal Materials and Engineering)

年 卷 期：2024年第45卷第3期

页      码：32-37页

摘      要：采用金属辅助化学蚀刻法制备高定向硅纳米线阵列(silicon nanowire arrays, SiNWs),结合碳点(carbon dots,CDs)改性制备了一种新型无标记光电免疫传感器,用于心肌肌钙蛋白I(cardiac troponin I, cTnI)的检测。N型SiNWs作为光阳极,可获得强的光电信号基底响应。采用旋涂法将CDs负载于SiNWs表面,可以提高SiNWs对可见光的吸收能力,促进光生载流子分离,从而提高SiNWs的光电性能;同时,CDs为抗体连接提供了羧基活性位点。基于CDs@SiNWs的光电免疫传感器对cTnI的检测具有良好的线性范围(0.005~5.000 ng/mL)和较低的检出限(3.79 pg/mL)。所设计的光电化学(photoelectrochemical, PEC)免疫传感器具有良好的灵敏度、稳定性和重复性。该电极可实现无标签检测,为实现c TnI的即时检测提供了新的途径。

主 题 词：光电免疫传感器 心肌肌钙蛋白I 硅纳米线阵列 碳点 

学科分类：081702[081702] 08[工学] 0817[工学-轻工类] 

D　O　I：10.13258/j.cnki.nmme.20230221001

馆 藏 号：203128374...