基于半绝缘GaN自支撑衬底的肖特基型α粒子探测器的制备及性能分析

作     者：赖兴阳 邹继军 游俊 葛子琪 邵春林 刘吉珍 LAI Xingyang;ZOU Jijun;YOU Jun;GE Ziqi;SHAO Chunlin;LIU Jizhen

作者机构：东华理工大学核技术应用教育部工程研究中心南昌330013 誉鸿锦芯片科技有限公司抚州344110 中国核动力研究设计院成都610213 

基　　金：2022年度抚州市“揭榜挂帅”重大项目(12275049) 江西省国际科技合作重点项目(20232BBH80005)资助 

出 版 物：《电子测试》 (Electronic Test)

年 卷 期：2023年第4期

页      码：50-54页

摘      要：本实验以半绝缘GaN自支撑衬底作为核辐射探测器主体,采用简单的三明治结构,通过在其正面(Ga面)沉积Ni/Au作为肖特基接触金属电极,反面(N面)沉积Ti/Al/Ti/TiN作为欧姆接触金属电极,成功制备了一种肖特基型α粒子探测器。所制备探测器在室温下拥有较小的结电容和极低的漏电流,经过快速退火后,探测器在反向偏压200 V时的漏电流仅为0.19 nA。为探究光照对探测器的影响,又在光照和避光条件下分别对探测器进行了I-t测试,发现其对光的响应也十分敏感。最后,对肖特基型探测器在不同反偏电压下进行α粒子的能谱测试,发现在反向偏压为200 V时,探测器可达到最佳能量分辨率32.82%。

主 题 词：半绝缘 GaN自支撑衬底 肖特基型 α粒子 能谱测试 

学科分类：080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0803[工学-仪器类] 

D　O　I：10.16520/j.cnki.1000-8519.2023.04.022

馆 藏 号：203128401...