1000V 4H-SiC VDMOS结构设计与特性研究

作     者：李尧 牛瑞霞 王爱玲 王奋强 蓝俊 张栩莹 张鹏杰 刘良朋 吴回州 LI Yao;NIU Ruixia;WANG Ailing;WANG Fenqiang;LAN Jun;ZHANG Xuying;ZHANG Pengjie;LIU Liangpeng;WU Huizhou

作者机构：兰州交通大学电子与信息工程学院兰州730070 

基　　金：国家自然科学基金项目(61905102,62264008) 兰州市青年科技人才创新项目(2023-QNQ-119) 

出 版 物：《半导体光电》 (Semiconductor Optoelectronics)

年 卷 期：2024年第45卷第3期

页      码：378-383页

摘      要：设计并优化了一种基于4H-SiC的1000V垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(VDMOS),在留有50%的裕度后,通过Silvaco仿真软件详细研究了器件各项参数与耐压特性之间的关系。经优化,器件的阈值电压为2.3V,击穿电压达1525V,相较于相同耐压条件下的Si基VDMOS,4H-SiC VDMOS的击穿电压提升了12%。此外,击穿时4H-SiC VDMOS表面电场分布相对均匀,最大值为3.4×10^(6)V/cm。终端有效长度为15μm,约为Si基VDMOS的6%,总体面积减小了近1/10。并且4H-SiC VDMOS结构简单,与相同耐压条件下的Si基VDMOS相比,未增加额外的工艺步骤,易于实现。

主 题 词：4H-SiC 垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管 击穿电压 漂移区参数 沟道长度 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.16818/j.issn1001-5868.2024011701

馆 藏 号：203128565...