采用大芯片的高功率密度SiC功率模块设计

作     者：李东润 宁圃奇 康玉慧 范涛 雷光寅 史文华 LI Dongrun;NING Puqi;KANG Yuhui;FAN Tao;LEI Guangyin;SHI Wenhua

作者机构：中国科学院电工研究所北京100190 中国科学院大学北京100049 复旦大学工程与应用技术研究院超越照明所上海200433 复旦大学宁波研究院宁波315327 清纯半导体(宁波)有限公司宁波315226 中国电源学会 

基　　金：国家重点研发计划资助项目(2021YFB2500600) 中国科学院青年交叉团队资助项目(JCTD-2021-09) 

出 版 物：《电源学报》 (Journal of Power Supply)

年 卷 期：2024年第22卷第3期

页      码：93-99页

摘      要：碳化硅SiC(silicon carbide)器件具备耐高压、低损耗和高热导率等优势,对电动汽车行业发展具有重要意义。提出一种利用大芯片封装的SiC MOSFET功率模块设计,并开展实验分析模块的电气性能;搭建仿真对仅有电特性与电特性和温度负反馈结合这2种情况下模块温度进行对比研究。仿真结果表明,在相同工作条件下,采用大芯片封装设计的SiC MOSFET功率模块导通电流能力更强,温度变化更小,电气性能有所提升。

主 题 词：电动汽车 功率密度 碳化硅芯片 功率模块 封装 

学科分类：08[工学] 081101[081101] 0811[工学-水利类] 

D　O　I：10.13234/j.issn.2095-2805.2024.3.93

馆 藏 号：203128583...