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10 kV百纳秒前沿百微秒方波脉冲源的研制

10 kV百纳秒前沿百微秒方波脉冲源的研制

作     者:唐梦媛 蒋泽赟 丁卫东 Tang Mengyuan;Jiang Zeyun;Ding Weidong

作者机构:西安交通大学电气工程学院西安710049 

出 版 物:《强激光与粒子束》 (High Power Laser and Particle Beams)

年 卷 期:2024年第36卷第8期

页      码:175-180页

摘      要:针对宽频测量系统量值传递需求,基于Marx电路设计了一款单极性方波脉冲源。该脉冲源以MOSFET器件为核心,采用光纤隔离驱动方案实现10 kV的方波脉冲输出。采用叠层结构搭建12级样机,实现了脉冲发生器的模块化与小型化。实验结果表明:该方波脉冲源在带300 pF以下的容性负载时可实现前沿小于百纳秒、输出电压kV级别、脉宽200μs的脉冲输出。该电源适用于宽频测量设备的方波响应性能实验等脉冲功率相关用途。

主 题 词:脉冲源 容性负载 MOSFET Marx电路 长脉宽 

学科分类:0808[工学-自动化类] 080803[080803] 08[工学] 

核心收录:

D O I:10.11884/HPLPB202436.240092

馆 藏 号:203128587...

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