超突变结变容管的设计模型

作     者：钱刚 郝达兵 顾卿 Qian Gang;Hao Dabing;Gu Qing

作者机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所南京210016 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2010年第35卷第12期

页      码：1158-1161页

摘      要：通过建立一种超突变结变容二极管的杂质浓度分布模型,并基于求解一维泊松方程、雪崩击穿条件方程和电阻计算公式,推导了该模型的C-V特性、VBR、RS和Q值,设计了用于分析该模型的模拟软件,阐述了模拟软件的运行流程。基于该模型和模拟软件,采用外延-扩散的方法研制了一种硅超突变结变容二极管,采用C-V法测量了外延材料的杂质浓度分布,结果表明材料的浓度分布与模拟结果相符。研制的变容二极管的主要参数：击穿电压VBR为50~55 V;电容变化比（C-4V/C-8V）为2.42~2.44;VR=-4 V,f=50 MHz时的品质因素Q为150~180,实测参数与模拟结果吻合得很好。设计模型和模拟软件得到了验证。

主 题 词：超突变结 外延-扩散法 C-V特性 击穿电压 品质因素 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1003-353x.2010.12.004

馆 藏 号：203128713...