双梯形多模干涉耦合器用于提高半导体激光器电光效率

作     者：宫梓傲 虞顺超 邹永刚 徐英添 范杰 Gong Ziao;Yu Shunchao;Zou Yonggang;Xu Yingtian;Fan Jie

作者机构：长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室吉林长春130022 长春理工大学重庆研究院重庆401122 

基　　金：吉林省科技发展计划项目(20210201030GX) 吉林省科技厅中青年科技创新创业卓越人才(团队)项目(20220508138RC) 重庆市自然科学基金面上项目(CSTB2022NSCQ-MSX0401,CSTB2022NSCQ-MSX0889) 

出 版 物：《中国激光》 (Chinese Journal of Lasers)

年 卷 期：2024年第51卷第14期

页      码：100-108页

摘      要：设计并制作了一种含有双梯形多模干涉(DT-MMI)耦合器结构的有源MMI半导体激光器(DTM-LD)。基于双梯形MMI多模波导的自映像分布重构效应,该激光器在保持与传统矩形有源MMI激光器(MMI-LD)相同有源区面积的同时,具有更短的器件腔长,有利于器件电光转换效率的提升。实验制得了双梯形底宽为15μm、腰宽为30μm的DTM-LD器件。在保持有源面积约为3.33×10^(4)μm^(2)的情况下,该激光器件的腔长相比于MMI-LD减小了4.2%。在注入电流为1 A的情况下,DTM-LD的电光转换效率由14.5%提升至16.3%,相对提升了12.4百分点,同时其最高输出功率由355 mW小幅提升至360 mW。当MMI多模波导的宽度减小0.5μm时,相比于MMI-LD,DTM-LD的输出功率损耗由51 mW减小至40 mW,降低了21.6%,这表明DTM-LD具有较低的制造误差敏感性。

主 题 词：半导体激光器 MMI耦合器 双梯形 电光转换效率 

学科分类：080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0803[工学-仪器类] 

核心收录：

D　O　I：10.3788/CJL240559

馆 藏 号：203128782...