体硅CMOS工艺下一种带隙基准的单粒子辐射特性分析

作     者：文溢 陈建军 梁斌 池雅庆 邢海源 姚啸虎 WEN Yi;CHEN Jianjun;LIANG Bin;CHI Yaqing;XING Haiyuan;YAO Xiaohu

作者机构：国防科技大学计算机学院湖南长沙410073 

基　　金：国家自然科学基金面上资助项目(61974163) 

出 版 物：《国防科技大学学报》 (Journal of National University of Defense Technology)

年 卷 期：2024年第46卷第4期

页      码：169-174页

摘      要：为了分析带隙基准(bandgap reference,BGR)在太空环境等极端条件下的单粒子辐射特性,分别在65 nm和28 nm体硅CMOS工艺下设计实现了一款BGR试验芯片,并采用脉冲激光单粒子模拟试验研究了其单粒子辐射特性。试验结果发现,当脉冲激光能量足够高时,BGR的输出电压显著增加,且退火后电压不能恢复,表明BGR发生了单粒子硬损伤(single-event hard damage,SHD),进一步的试验研究证明BGR中的三极管是诱发SHD的敏感器件。该研究为在体硅CMOS工艺下对BGR进行抗SHD加固设计提供了重要理论参考。

主 题 词：带隙基准 单粒子硬损伤 脉冲激光试验 体硅CMOS工艺 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.11887/j.cn.202404018

馆 藏 号：203128788...