用于生物荧光检测的高灵敏CMOS双结深光电传感器设计

作     者：施朝霞 李如春 SHI Zhaoxia;LI Ruchun

作者机构：浙江工业大学通信与电子系杭州310023 

基　　金：国家自然科学基金项目(61306090) 

出 版 物：《半导体光电》 (Semiconductor Optoelectronics)

年 卷 期：2014年第35卷第4期

页      码：585-588页

摘      要：基于标准CMOS工艺,可实现单结深光电二极管传感器(p+/n-well、n-well/p-sub和n+/p-sub)和双结深光电二极管传感器(p+/n-well/p-sub)。建立了双结深光电二极管传感器的光电响应数学模型,仿真了四种结构的光敏响应。采用上华0.5μm CMOS工艺实现了p+/nwell和p+/n-well/p-sub两种结构,传感面积为100μm×100μm。p+/n-well型结构在400nm波长,60lux光强下光电流为1.55nA,暗电流为13pA,p+/n-well/p-sub型结构在同等条件下光电流为2.15nA,暗电流为11pA。测试表明,设计的双结深光电传感器具有更高的灵敏度,可用于微弱的生物荧光信号检测。

主 题 词：双结深 光电二极管 灵敏度 CMOS 

学科分类：0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 0803[工学-仪器类] 

D　O　I：10.16818/j.issn1001-5868.2014.04.005

馆 藏 号：203128914...