控制结晶法合成表面富含钴的尖晶石LiMn_(2-x)Co_xO_4

作     者：张国昀 姜长印 万春荣 应皆荣 

作者机构：清华大学核能技术设计研究院新型能源与材料化学研究室北京102201 

基　　金：国家自然科学基金项目(50002006) 清华大学基础研究重点资助项目(JC1999054) 

出 版 物：《电源技术》 (Chinese Journal of Power Sources)

年 卷 期：2003年第27卷第1期

页      码：17-19,23页

摘      要：为了解决尖晶石LiMn2O4在高温下的容量衰减问题,制备出了表面富含钴的尖晶石LiMn2-xCoxO4。采用控制结晶工艺在Mn3O4颗粒表面包覆一层β Co(OH)2,以包覆Co(OH)2的Mn3O4为前驱体,与LiOH·H2O混合,在750℃下反应20h,合成表面富含钴的LiMn2-xCoxO4。X射线衍射分析表明,合成的LiMn2-xCoxO4为尖晶石结构,没有杂相。扫描电镜和能量散射光谱(EDS)的分析结果表明,该尖晶石LiMn2-xCoxO4为类球形,而且表面富含钴。这种表面富含钴的尖晶石LiMn2-xCoxO4在高温下仍然具有良好的电化学性能,在55℃下其首次放电比容量为101mAh·g-1,15次充放电循环之后,仍保持初始放电容量的99%。而尖晶石LiMn2O4在15次循环后,仅能保持初始放电容量的82%。

主 题 词：控制结晶法 合成 钴 尖晶石 LiMn2-xCoxO4 锂离子蓄电池 正极材料 

学科分类：0808[工学-自动化类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1002-087X.2003.01.007

馆 藏 号：203129372...