中国散裂中子源自研前端专用芯片CSNS_VASD性能测试

作     者：杨浩 路书祥 李怀申 陈少佳 唐彬 王修库 曾莉欣 于莉 万志永 刘慧银 孙志嘉 YANG Hao;LU Shuxiang;LI Huaishen;CHEN Shaojia;TANG Bin;WANG Xiuku;ZENG Lixin;YU Li;WAN Zhiyong;LIU Huiyin;SUN Zhijia

作者机构：郑州大学郑州450001 中国科学院高能物理研究所北京100049 散裂中子源科学中心东莞523803 

基　　金：广东省基础与应用基础研究基金项目(No.2020B1515120025) 国家自然科学基金面上项目(No.11875273)资助 

出 版 物：《核技术》 (Nuclear Techniques)

年 卷 期：2024年第47卷第7期

页      码：48-56页

摘      要：中子闪烁体探测器是中国散裂中子源工程主力探测器之一,高探测效率是目前正在研制的第二代中子闪烁体探测器的设计目标。CSNS_VASD芯片是中国散裂中子源工程专门为第二代中子闪烁体探测器研发的一款专用集成电路芯片。为了验证芯片性能,设计了专用测试系统,并在实验室和中子束线对芯片进行了测试。测试结果显示:自研芯片的非线性误差≤1%、等效噪声电压≤0.63 mV、通道间串扰≤0.89%;探测器探测效率为40.7%@0.1 nm。性能指标均达到了工程设计指标的要求。CSNS_VASD芯片的成功研制为中国散裂中子源工程的顺利建设提供了可靠的技术保障。

主 题 词：中国散裂中子源 中子闪烁体探测器 专用集成电路芯片 硅光电倍增管 FPGA 

学科分类：082704[082704] 08[工学] 0827[工学-食品科学与工程类] 

核心收录：

D　O　I：10.11889/j.0253-3219.2024.hjs.47.070401

馆 藏 号：203129612...