一种高可靠性IP设计的机理研究及设计实现

作     者：潘中平 PAN Zhong-ping

作者机构：上海凌云阁芯片科技有限公司 

出 版 物：《中国集成电路》 (China lntegrated Circuit)

年 卷 期：2024年第33卷第7期

页      码：45-49页

摘      要：本文是基于一种实现高可靠性IP设计的物理机理研究,首先探究了影响高可靠性IP设计的物理机理一方面来源于电迁移EM现象造成的“硬伤”,进而探讨了可用来衡量高可靠性IP的平均无故障时间MTTF的计算公式,并据此分析了对应芯片制程工艺演进的EM加剧效应。再者通过实验分析手段考察了影响高可靠性IP设计的噪声因素,界定其属于影响可靠性IP设计的“软伤”,从应对软噪声的角度提出了采用不同于常规的高电压(HV)设计方案,来实现改善高标准单元库IP设计的可靠性,进而提出一种实现高可靠性IP设计的可行方案,这一方案同时具有减小漏电流效果。

主 题 词：电迁移 小山包(形状)阻塞物 标准单元库 低压差线性稳压器 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1681-5289.2024.07.008

馆 藏 号：203129979...