InGaAs探测器性能与结面积和周长的关系研究

作     者：张可锋 唐恒敬 李淘 李永富 宁锦华 李雪 龚海梅 

作者机构：中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室上海200083 中国科学院研究生院北京100039 

基　　金：国家自然科学基金重点资助项目(50632060) 中国科学院知识创新工程青年人才领域前沿资助项目(B2-1,C2-32) 

出 版 物：《光电子．激光》 (Journal of Optoelectronics·Laser)

年 卷 期：2009年第20卷第6期

页      码：713-716页

摘      要：对不同结面积和周长的正照射台面型InGaAs光伏探测器(λc=2.4μm)的性能进行了对比分析,得到了探测器的暗电流、噪声、响应信号以及优值因子(RoA)等性能参数与器件的台面面积、光敏感区面积、周长以及形状等设计参数的关系,其中台面面积的大小是影响台面型InGaAs光伏探测器p+-n--n+结结区特性的主要因素之一。

主 题 词：InGaAs探测器 设计尺寸 暗电流 噪声 优值因子(RoA) 

学科分类：080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0803[工学-仪器类] 

核心收录：

D　O　I：10.16136/j.joel.2009.06.010

馆 藏 号：203130201...