Ⅲ-Ⅴ族材料制备多结太阳电池的研究进展

作     者：晏磊 于丽娟 Yan Lei;Yu Lijuan

作者机构：中国科学院半导体研究所集成光电子学国家联合重点实验室北京100083 

出 版 物：《微纳电子技术》 (Micronanoelectronic Technology)

年 卷 期：2010年第47卷第6期

页      码：330-335页

摘      要：讨论了采用Ⅲ-Ⅴ族化合物材料制备多结太阳电池时的材料选择和实现方案,重点探讨了采用渐变缓冲层、引入InGaAsN等新材料以及直接键合等三种方法。其中,采用渐变缓冲层结构的Ge/Ga0.35In0.65P/Ga0.83In0.17As三结太阳电池,转换效率提高到41.1%。而采用直接键合技术设计的InGaP/GaAs/InGaAsP/InGaAs四结太阳电池,以及应用InGaAsN等新材料设计的五结以上太阳电池,其转换效率还有可能达到新的高度。此外,一些创新技术,例如电池的反向生长技术、转移层技术以及将GaAs的量子阱结构和量子点应用于多结太阳电池,都为太阳电池效率的进一步提高提供了新的契机。

主 题 词：Ⅲ-Ⅴ族化合物 多结太阳电池 晶格失配 渐变缓冲层 直接键合 层转移 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 080502[080502] 0805[工学-能源动力学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1671-4776.2010.06.002

馆 藏 号：203130228...