Ⅲ族氮化物HFET中的电流崩塌和二维电子气

作     者：薛舫时 

作者机构：南京电子器件研究所江苏南京210016 

出 版 物：《微纳电子技术》 (Micronanoelectronic Technology)

年 卷 期：2004年第41卷第1期

页      码：15-19,29页

摘      要：讨论了Ⅲ族氮化物HFET中电流崩塌和沟道内二维电子气特性间的关联,提出了描述产生电流崩塌时电子动态运动的微观模型。栅延迟电流崩塌被归因于栅-漏电极间隙中表面态与其下沟道中的电子交换。异质结极化感应的表面电荷不稳定性和沟道中二维电子气的量子限制特性是决定电流崩塌的两个重要因素。应用这一微观模型解释了实验中观察到的电流崩塌现象。通过适当的异质结构优化设计可望研制出无电流崩塌的Ⅲ族氮化物HFET。

主 题 词：Ⅲ族氮化物 HFET 电流崩塌 二维电子气 异质结构 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1671-4776.2004.01.003

馆 藏 号：203130546...