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IR推出可靠的超高速1200 V IGBT可显著降低开关及传导损耗,提升整体系统效率

IR推出可靠的超高速1200 V IGBT可显著降低开关及传导损耗,提升整体系统效率

出 版 物:《电子设计工程》 (Electronic Design Engineering)

年 卷 期:2011年第19卷第19期

页      码:161-161页

摘      要:全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)近日推出针对感应加热、不间断电源(UPS)太阳能和焊接应用而设计的可靠、高效1200V绝缘栅双极晶体管(IGBT)系列。

主 题 词:传导损耗 IGBT 整体系统 超高速 绝缘栅双极晶体管 国际整流器公司 IR 开关 

学科分类:0810[工学-土木类] 08[工学] 081001[081001] 

馆 藏 号:203130940...

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