CMOS低功耗窄带低噪声放大器优化设计

作     者：毛晓峰 兰家隆 黄朝刚 MAO Xiao-feng;LAN Jia-long;HUANG Chao-gang

作者机构：电子科技大学成都610054 深圳市泉芯电子技术有限公司深圳518052 

基　　金：2006年度国家科技型中小企业技术创新基金(06C26214420449) 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2007年第32卷第5期

页      码：417-421页

摘      要：阐述了一个采用Chartered 0.35μm CMOS工艺实现的应用于315 MHz幅度键控接收芯片的低功耗窄带低噪声放大器。该电路主要采用限定功耗下同时优化噪声性能和输入匹配的技术进行设计,并且采取了其他一些措施来进一步改善电路的性能。采用一个并-串谐振网络,提供镜像抑制。实验测试表明,该低噪声放大器的噪声系数为1.47 dB,功率增益为19.97 dB,输入三阶截断点为-15.53 dBm,镜像抑制为42.4 dB,功耗为1.4 mW。

主 题 词：噪声 阻抗匹配 功率增益 线性 镜像抑制 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1003-353X.2007.05.013

馆 藏 号：203131648...