100 V SOI厚栅氧LDMOS器件设计与优化

作     者：王永维 黄柯月 温恒娟 陈浪涛 周锌 

作者机构：中国电子科技集团公司电子第十三研究所河北石家庄050051 北京国联万众半导体科技有限公司北京101318 电子科技大学集成电路科学与工程学院四川成都611731 北京振兴计量测试研究所北京100074 

出 版 物：《通讯世界》 (Telecom World)

年 卷 期：2024年第31卷第7期

页      码：1-3页

摘      要：基于高压模拟开关需求,对100 V绝缘体上硅(SOI)厚栅氧横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件开展研究。利用仿真软件,研究了该LDMOS器件的结构参数,包括漂移区长度、漂移区掺杂剂量、多晶硅栅场板长度对LDMOS器件击穿电压的影响。采用沟道离子补偿注入的方法,通过控制沟道区调整沟道区硼离子注入剂量,调节器件的阈值电压,同时通过优化N阱区(N-well)注入窗口长度改善器件的饱和电流。

主 题 词：SOI LDMOS 绝缘体上硅 功率器件 击穿电压 阈值电压 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1006-4222.2024.07.001

馆 藏 号：203131653...