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磁导率对光子晶体带隙特性的影响

磁导率对光子晶体带隙特性的影响

作     者:刘靖 孙军强 黄重庆 黄德修 吴铭 LIU Jing;SUN Jun-qiang;HUANG Chong-qing;HUANG De-xiu;WU Ming

作者机构:湖南理工学院物理系湖南岳阳410006 华中科技大学武汉光电国家实验室湖北武汉430074 

基  金:国家自然科学基金资助项目(60577006) 湖南省教育厅科研计划资助项目(02C515) 

出 版 物:《光电子.激光》 (Journal of Optoelectronics·Laser)

年 卷 期:2007年第18卷第9期

页      码:1085-1088页

摘      要:利用时域有限差分(FDTD)法,计算了磁介质材料光子晶体(PC)的能带结构。结果表明,磁性散射也能形成光子禁带。增大PC构筑单元的磁导率,不仅能够增大带隙宽度,而且能够增加带隙个数和带隙深度。PC中引入磁性材料,增加了能带工程的调节自由度,为阻抗匹配设计提供了更多的可调参数,能更有效地吸收调频电磁干扰,对器件性能的改善具有广泛的应用价值。对其作用机理进行了探讨。

主 题 词:磁导率 时域有限差分(FDTD)法 透射谱 带隙 光子晶体(PC) 

学科分类:07[理学] 070205[070205] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 0703[理学-化学类] 0702[理学-物理学类] 

核心收录:

D O I:10.3321/j.issn:1005-0086.2007.09.020

馆 藏 号:203131658...

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