硅量子点在太阳能电池中的应用

作     者：姜礼华 曾祥斌 金韦利 张笑 

作者机构：华中科技大学电子科学与技术系湖北武汉430074 江西蓝天学院电子信息工程系江西南昌330098 

基　　金：广东省产学研项目(2006D90404017)资助课题 

出 版 物：《激光与光电子学进展》 (Laser & Optoelectronics Progress)

年 卷 期：2010年第47卷第8期

页      码：32-37页

摘      要：阐述了当前硅量子点(QDs)太阳电池的发展概况。介绍了量子限制效应引起的碰撞电离和多激子产生现象,分析了硅量子点太阳电池设计理论。同时介绍了硅量子点当前几种制作工艺,详细阐述了硅量子点从富硅层中析出工艺。最后,介绍了硅量子点太阳电池的几种结构形式,如叠层结构、PN结构和中间带隙结构。

主 题 词：光电子学 硅量子点 碰撞电离 电子空穴对倍增 太阳电池结构 

学科分类：080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0803[工学-仪器类] 

D　O　I：10.3788/lop47.082501

馆 藏 号：203131775...