适用于Flash Memory的快速响应的低压差稳压器

作     者：郭家荣 冉峰 GUO Jia-rong;RAN Feng

作者机构：上海大学机自学院上海200072 

出 版 物：《微电子学与计算机》 (Microelectronics & Computer)

年 卷 期：2013年第30卷第10期

页      码：101-104页

摘      要：提出一种适用于flash memory的无片外电容的低压差稳压器设计.利用米勒补偿和自适应基准技术获取高稳定性和增强的瞬态.该低压差稳压器利用片内小电容作为频率补偿的同时还通过它的耦合效应形成高速反馈环路以获得快速的瞬态响应.该电路在低负载情况下具有很低的静态电流和在高负载情况下的高电流效率.提出的稳压器采用90nm工艺,在1.45V到3.8V操作电压范围内,输出1.3V的调制电压和10mA的最大输出电流.对于Flash Memory应用来说,当负载瞬态变化时,提出的低压差稳压器的建立时间仅仅为20ns.芯片面积是40μm*280μm.

主 题 词：低压差稳压器 无片外电容 缓冲级 自适应基准 摆率增强 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.19304/j.cnki.issn1000-7180.2013.10.026

馆 藏 号：203131924...