低功耗CMOS带隙基准源

作     者：赵玉迎 厚娇 常金 姜久兴 赵波 

作者机构：哈尔滨理工大学 

出 版 物：《电子世界》 (Electronics World)

年 卷 期：2015年第23期

页      码：27-30页

摘      要：本文采用了CSMC 0.18um的标准CMOS工艺,设计了一种工作在亚阈值区的低功耗CMOS带隙基准源,本设计电路是由纯MOS管组成,不包含双极型晶体管,采用工作在线性区的MOS管代替电阻,减少了芯片的面积,工作在亚阈区的MOS管也使得系统的功耗有所降低。室温下,整个电路系统的电流(包含启动电路)为433.08n A,功耗为649.6n W,版图面积为0.0048mm2,工艺流程与标准CMOS工艺有很好的兼容性。

主 题 词：带隙基准 低功耗 亚阈值区 

学科分类：08[工学] 0803[工学-仪器类] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1003-0522.2015.23.008

馆 藏 号：203132027...